Samsung pakt uit met revolutionair DDR5-RAM
De nieuwe generatie in RAM-geheugen moet de huidige standaard ruim overtreffen op vlak van snelheid en capaciteit. Samsungs DDR5-module van 512 GB is de eerste die High-K Metal Gate (HKMG)-technologie gebruikt. Die laat datasnelheden toe tot wel 7,200 Mbps, los het dubbele van DDR4. De nieuwe module van de Zuid-Koreanen zou snelheden tot 57,6 GB per seconde kunnen realiseren, op één enkel kanaal.
In de persmededeling liet Intel weten dat het nieuwe geheugen alvast compatibel zal zijn met zijn next-gen ‘Sapphire Rapids Xeon Scalable’-processoren. Die architectuur gebruikt een memory controller van acht kanalen aan DDR5-geheugen. Theoretisch zou dat snelheden kunnen opleveren van wel 460 GB/s, via multi-terrabyte-geheugenconfiguraties.
Tech van de toekomst
Volgens Samsung is de toepassing nu nog vooral gericht op supercomputers die gigantische hoeveelheden data moeten verwerken, AI en machine learning. Uiteindelijk zal DDR5 wel zijn weg naar de gewone pc vinden, waar het vooral gamers zal plezieren.
De Zuid-Koreanen gebruikten HKMG-tech al eens in 2018, in de GDDR6-chips van hun CPU’s. De technologie is eigenlijk ontwikkeld door Intel en gebruikt hafnium in plaats van silicone. De gebruikelijke poort-elektroden van polysilicone, worden vervangen door metalen. Dat geeft de chips een hogere dichtheid, waarbij stroomlekkage afneemt. Elke chip gebruikt acht lagen van 16 GB DRAM voor een capaciteit van 128 GB. Samsung zou dus 32 stuks nodig hebben om een module van 512 GB RAM te produceren.
Bovenop de hogere snelheden en capaciteit gebruiken de chips volgens Samsung 13 procent minder stroom dan traditionele modules. Daar zullen vooral de datacenters op termijn de vluchten van plukken, al is een zuiniger thuisverbruik altijd mooi meegenomen. De eerste consumenten-pc’s met DDR5-geheugen maken mogelijk in 2022 hun debuut. AMD wil dan zijn Zen 4-platform lanceren, dat vermoedelijk met DDR5 zal werken.
