Samsung raast Intel voorbij met 10 nanometer
14 nanometer was de revelatie van het afgelopen jaar. Intel maakte in de desktopwereld de sprong naar de kleinere en dus efficiëntere transistors op zijn chips, en ook Samsung kon zijn fabrieken 14 nanometer-wafers laten bakken. Het resultaat mag er zijn. Intels nieuwe lijn van Core i- en Core M-processors is in alle opzichten krachtiger dan de vorige generatie, maar ook zuiniger en koeler.
Mobiel
Hetzelfde kan gezegd worden van Samsungs Exynos 7420-SoC in de Galaxy S6. Prestatiegewijs blaast die chip alle concurrentie uit het water, inclusief Qualcomm. De Exynos 7420 is de krachtigste mobiele chip die we ooit op deze redactie onder handen kregen, en daarvoor kan Samsung zijn 14 nm-voorsprong danken (al is die niet noodzakelijk koosjer verkregen). Andere fabrieken bakken immers nog chips met transistors van 22 nanometer of groter. De vuistregel is eenvoudig: hoe kleiner de transistors op een chip, hoe zuiniger hij is en hoe minder warmte hij produceert.
Demonstratiewafer
Samsung kondigde pas aan in San Fransisco dat de stap naar 10 nanometer FinFET-transistors concreet wordt. De Koreanen plannen tegen eind volgend jaar de productie te starten. Het ziet er bovendien naar uit dat die tijdslijn erg haalbaar is voor de fabrikant. Om de plannen kracht bij te zetten toonde Samsung al een 300 mm wafer gebakken op 10 nanometer, wat aantoont dat de specificaties voor het proces op z’n minst bijna uitgedokterd zijn.
Samsungs grootste concurrent in het bakken van mobiele chips, TSMC, wil volgend jaar opnieuw bijbenen en zou ook werken aan een 10 nm-productieproces. TSMC moet de stap naar 16 nanometer echter nog maken, dus die plannen vallen met een korreltje zout te nemen. Voorlopig staat Samsung aan de leiding in een veld dat hoogst competitief is, en waar onderzoekers moeten knokken voor iedere nanometer innovatie.
En Intel?
Chipkoning Intel werkt natuurlijk ook aan een 10 nanometerproces. Intel zweert al 50 jaar bij de wet van Moore, en om die te laten kloppen mag de fabrikant niet lang achter Samsung blijven met z’n eigen 10 nm-chips. Voorlopig plant Intel tegen het einde van 2016 of het begin van 2017 ten laatste 4 nanometer van zijn transistorformaat willen schrapen. Daarna komt 7 nanometer, het vermoedelijke moment waarop fabrikanten afscheid zullen nemen van silicaat als voorkeur-semigeleider.
Daar zijn we natuurlijk nog niet. Voorlopig valt het vooral op hoe Samsung zich als een kanonbal naar het voorfront van de chipbakkers heeft geschoten. Als de strakke planning van het Koreaanse bedrijf realistisch blijkt, ziet het er naar uit dat er voor het eerst iemand Intel de loef zal afsteken.
